日本及荷蘭將加入限制對中國出口先進的半導體設備的行列。圖為阿斯麥光刻機。 （ASML 圖片）

光刻機是生產晶片的關鍵設備。 （ASML 圖片）

中美科技戰愈演愈烈，據報日本及荷蘭將加入限制對中國出口先進的半導體設備的行列，三國於27日達成共識，據稱除極紫外光刻機（EUV）將納入限制外，次高端的深紫外光刻機（DUV）也將納入管制。外媒形容，三國如同聯手對中國「降下矽幕」。

彭博社27日引述消息來源報道，日本與荷蘭將和美國一同限制半導體設備製造商出口能製造先進晶片的設備到中國。協議內容並未公開。此外，日荷兩國還需要花費數月時間完成法律工作，落實禁令。

荷蘭首相呂特同日在海牙表示，相關討論已持續好一段時間，事涉敏感，荷蘭政府謹慎以對。

報道稱，歐盟內部市場業務執行委員布勒東說，歐盟對美國「充分」承諾，將達成使中國半導體業窒息的目標，「我們完全贊同使中國無法取得最先進晶片的目標，不能任由中國獲得最先進科技」。

報道將這項協議稱為「拜登的勝利」。

全球前八大半導體設備商受影響

光刻機是生產晶片的關鍵設備，全球目前僅有荷蘭和日本有能力製造光刻機。

日荷兩國跟進制裁後，半導體設備須配合「nonplanar transistor architectures 」設備出口標準限制，意即16、14奈米及以下等「非平面式電晶體架構」製程設備禁止輸入中國，預期日企TEL、SCREEN、Hitachi High-Tech、Kokusai、Nikon、Canon， 荷企阿斯麥（ASML）、ASM 等皆將受到影響。全球前八大半導體設備商都將遵循美出口管制，暫緩設備出口至中國，除了設備出口限制之外，日本、荷蘭工程人員恐怕也將預防性撤出晶圓廠房，等待美商務部審查完成後再返回產線工作。

華為已申請EUV機相關專利

目前半導體曝光機台主要由荷商ASML及日商Nikon、Canon提供， 尤其EUV（極紫外光）機台由ASML獨供、DUV immersion設備則由ASML 及Nikon寡佔。《金融時報》稱，去年荷蘭與美國本來快達成共識，要以十奈米晶片技術為限制門檻，但後來傳出中國最大晶片製造商中芯國際成功製造七奈米晶片，這通常要用到EUV機器，不過中國卻從技術較低的DUV機器結合其他設備研發突破，使美國再擴大出口限制。

《南華早報》則稱，中國國家知識產權局去年11月披露，中國科技巨頭華為技術公司已在2021年5月申請與EUV技術相關的專利。無論美日荷擋不擋，中國都將全力拚晶片自主，因此美國圍堵聯盟重點在盡量拖延中國進度。

荷蘭《晨報》評論，晶片製造技術非常複雜，但全球晶片產業結構卻非常簡單：晶片設計商最重要在美國、製造商最重要在台灣和韓國、設備商在荷蘭和日本。這些國家聯手降下「矽幕」，將為中國自主晶片之路帶來很多困難。