■國家存儲器基地項目，在武漢東湖
高新區正式動工建設。
【中新社武漢12月30日電】總投資240億美元、佔地面積近2000畝的中國國家存儲器基地項目，30日在武漢東湖高新區正式開建，由此宣告這艘逾千億元人民幣級別的「中國存儲器航母」起航。
項目由中國紫光集團聯合國家集成電路產業基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設。項目位於武漢東湖高新區的武漢未來科技城，將建設3座全球單座潔淨面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發大樓和其他若干配套建築，其核心生產廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。項目一期計劃2018年建成投產，2020年完成整個項目，總產能將達到30萬片/月，年產值將超過100億美元。
紫光集團董事長兼長江存儲公司董事長趙偉國介紹，集成電路是信息技術產業核心，是支撐社會經濟發展和保障國家信息安全、產業安全的戰略性、基礎性和先導性產業，是世界各國和地區綜合競爭力的集中體現。存儲器最能代表集成電路產業規模經濟效益和先進製造工藝。據統計，存儲芯片在整個芯片市場占比超過25%，未來將達到45%左右。
位於武漢的國家存儲器基地項目將以芯片製造環節為突破口，集存儲器產品設計、技術研發、晶圓生產與測試、銷售於一體。項目建成後，以此為龍頭將帶動設計、封裝、製造、應用等芯片產業相關環節的發展，將為中國打破主流存儲器領域空白，實現產業和經濟跨越發展提供重要支撐。
趙偉國強調，武漢國家存儲器基地開建，標誌著中國集成電路存儲芯片產業規模化發展「零」的突破。同時，項目運作是一種新模式的成功探索，實現「國家戰略推動、地方大力支持、企業市場化運作」的三合一。此外，存儲器基地項目投資強度大，是中國集成電路行業單體投資最大的項目，也是湖北省最大的投資項目，還是中國最大的單體投資項目。
目前，湖北省和武漢市正全力以赴，將國家存儲器基地項目打造成湖北省調結構、實現轉型跨越發展的千億高科技產業項目。作為項目承載地的武漢東湖高新區，正在加快引進芯片設計、封裝測試等環節的重點企業，積極打造集成電路產業生態體系，並正在組建武漢國際微電子學院、集成電路工業研究院、國家IP交易中心等配套體系，努力打造世界級集成電路產業創新中心。